ITRSロードマップ（International Technology Roadmap for Semiconductors）

ITRSロードマップ
　ITRSロードマップは半導体業界の技術動向のよりどころになっています。
ITRSロードマップにいく。
　詳細の技術トレンドはITRSロードマップを参照していただきたいのですが、 抜粋として、MPU/ASIC 1/2 Pittch(nm)とFlip Chip Pad Pittch(μm)のトレンドを図1に 示します。
　図1において、MPU/ASIC 1/2 Pittch(nm)もFlip Chip Pad Pittch(μm)も 年々微細化する傾向にあります。
　ただし、MPU/ASIC 1/2 PittchとFlip Chip Pad Pittchの単位は(nm)と(μm)で 3桁も違っています。

　MPU/ASIC 1/2 Pittch(nm)は露光装置の解像度限界に達してきており、多くの 技術革新が必要です。
　Flip Chip Pad Pittch(μm)は寸法的に3桁も大きく、露光装置の解像度限界 とはほど遠いところにあります。Flip Chip Pad Pittchの微細化阻害要因は技術的問題よりも 経済性にあると思われます。

露光装置の種類

露光装置の種類
　露光装置の種類を図2に示します。
　緑色の露光装置はすでに実用化されている露光装置です。
　半導体の露光は当初コンタクト露光が主流でしたが、微細化に伴い 1：1投影露光、g線ステッパ、i線ステッパ、Krfステッパ、KrFスキャナ、ArFスキャナ と発展してきました。解像度向上のための主な技術は高NA化と短波長化です。 今後の露光技術もさらなる短波長化を検討中です。
(1)液浸ArF：レンズとウェーハの間を液でしたし、実効波長を短くして解像度を向上 する露光方法。
(2)F2スキャナ：波長157nmのF2レーザを使用した露光方法。 SELETEで推進中。
(3)LEEPL：Low Energy Electron beam Proximity Projection Lithography; 低加速電圧電子ビーム等倍近接転写リソグラフィ：
(4)EPL：電子線縮小投影露光技術 SELETEで推進中。
(5)EUV:Extreme Ultra Violet(波長13nmの軟X線）を用いた投影露光方法。 EUVAで推進中。
以上の露光技術が、多くの技術的課題を克服すべく研究開発が推進されています。 どの技術も多くの開発費を必要とし、経済性が課題です。

高密度実装技術

SIP(System In Package)
　携帯電話、デジカメ等の携帯機器の実装には高密度実装技術(SIP)が使用されています。
　半導体回路のほとんどのスペースは配線と支持部材に占められているといって過言ではありません。 これは高集積のSoC(System On Chip)にもあてはまります。SoCでもトランジスターとして動作する 体積はほんの一部でほとんど体積はSiウェーハ基板が占めます。
　高密度実装の基本となる技術は外部接続用電極（バンプ）形成したフリップチップ を高密度配線基板に直接接合する技術が用いられます。
　Flip Chip Pad Pittch(μm)は年々小さくなる傾向にあります。 　
カシオ・マイクロニクスに行く。
沖電気工業（株）W-CSPに行く。
amkorに行く。
新光電気工業に行く。
フジクラに行く。
株式会社 トッパン NEC サーキット ソリューションズに行く。
ASE(台湾)に行く。
Chipbond Technology(台湾)に行く。



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