19章:MOS型FET
作成2014.01.26
MOS型FETを使用したタイマー回路でLEDを点灯します。
- MOS型FET回路
(1)評価回路図
図19-1に示すMOS型FET回路は、コンデンサに電荷を蓄積し、蓄積した電荷でMOS型FETを駆動してLEDを点灯します。
この回路の電圧変化をCh1、Ch2、Ch3,、Ch4点について簡易オシロで測定します。
(2)簡易オシロによる電圧変化測定結果
簡易オシロによる電圧変化測定結果を図19-2に示します。
図19-2において、Ch1とCh2はほぼ完全一致となります。したがって、ゲート電流はI=(Vch2-Vch1)/33k=0Aとなり、流れないことが確認します。
これにたいしてソース電流はI=(Vch4-Vch3)/220は有限の値となります。このため、電流増幅率は無限大となります。
(3)ゲート・ソース間電圧とドレイン電流の相関
図19-2の結果から、 ソース・ゲート間電圧とドレイン電流の相関を求めることができます。計算結果を図19-3に示します
図19-3において、ゲート電圧が0〜1.5Vまで、ドレイン電流はゼロで、ゲート電圧が1.5〜2Vで急激にドレイン
電流が増加し、、ゲート電圧が2V以上でドレイン電流が一定になるのが特徴的です。
- 結果の検討
(1)MOS型FETのゲート電流はゼロである。したがって電流増幅率は無限大となる。
(2)ゲート電圧が0〜1.5Vまで、ドレイン電流はゼロで、ゲート電圧が1.5〜2Vで急激にドレイン電流が増加し、、ゲート電圧が2V以上でドレイン電流が一定になる。
(3)上記の特性はメカスイッチの特性に類似しており、単純でわかりやすい。
(4)以上の特徴から、スイッチ回路、デジタル回路に適する。
20章:±6V電源回路に行く。
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