19章:MOS型FET

    作成2014.01.26
     MOS型FETを使用したタイマー回路でLEDを点灯します。

  1. MOS型FET回路
    (1)評価回路図
     図19-1に示すMOS型FET回路は、コンデンサに電荷を蓄積し、蓄積した電荷でMOS型FETを駆動してLEDを点灯します。

     この回路の電圧変化をCh1、Ch2、Ch3,、Ch4点について簡易オシロで測定します。


    (2)簡易オシロによる電圧変化測定結果
     簡易オシロによる電圧変化測定結果を図19-2に示します。

     図19-2において、Ch1とCh2はほぼ完全一致となります。したがって、ゲート電流はI=(Vch2-Vch1)/33k=0Aとなり、流れないことが確認します。
     これにたいしてソース電流はI=(Vch4-Vch3)/220は有限の値となります。このため、電流増幅率は無限大となります。

    (3)ゲート・ソース間電圧とドレイン電流の相関
     図19-2の結果から、 ソース・ゲート間電圧とドレイン電流の相関を求めることができます。計算結果を図19-3に示します

     図19-3において、ゲート電圧が0〜1.5Vまで、ドレイン電流はゼロで、ゲート電圧が1.5〜2Vで急激にドレイン 電流が増加し、、ゲート電圧が2V以上でドレイン電流が一定になるのが特徴的です。


  2. 結果の検討
    (1)MOS型FETのゲート電流はゼロである。したがって電流増幅率は無限大となる。
    (2)ゲート電圧が0〜1.5Vまで、ドレイン電流はゼロで、ゲート電圧が1.5〜2Vで急激にドレイン電流が増加し、、ゲート電圧が2V以上でドレイン電流が一定になる。
    (3)上記の特性はメカスイッチの特性に類似しており、単純でわかりやすい。
    (4)以上の特徴から、スイッチ回路、デジタル回路に適する。









20章:±6V電源回路に行く。

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