１４章：数値計算「ルンゲ・クッタ法」の実行

    　１３章：不均一材料で学んだ過剰ドナー密度Nとポテンシャル（電位）Φの関係式(13-19)式等の計算を実際に実行してみよう。
    　表14-2　シリコン(Si)の基本特性、表14-3　半導体の特性制御因子等の値を入力し、「計算実行」ボタンをおせば、計算結果が表14-6から表14-9に表示される。
    　15章では、デホルト条件での計算結果をグラフにして検討しますので、とりあえずデホルトで「計算実行」ボタンを押してください。

  1. 　物理定数
    　表14-１　基礎物理定数
    名称記号単位値備考
    円周率π無次元　
    ボルツマン定数kJ/deg　
    電子電荷qC　
    電子静止質量mkg　
    真空誘電率[εo]F/m　


  2. 　シリコン(Si)の基本特性
    　表14-2　シリコン(Si)の基本特性
    名称記号単位値備考
    誘電率εF/m　
    禁制帯幅(0°K)[Ego]JJ/q=1.2075eV
    キャリア濃度空間定数β(Js)^(-3)実験式の定数


  3. 　半導体の特性制御因子
    　表14-3　半導体の特性制御因子
    名称記号単位値備考
    x0位置x0m0基準位置
    x1位置x1mx1-x0距離
    x2位置x2mx2-x0距離
    x3位置x3mx3-x0距離
    過剰ドナ濃度N1N1個/m3x1-x0間の濃度
    過剰ドナ濃度N2N2個/m3x3-x2間の濃度
    計算刻みdxm数値計算刻み
    電界初期値EoV/m数値計算刻み
    (注)N=x3/dxの値は1000以下に設定願います。


  4. 　半導体の特性変動因子
    　表14-4　半導体の特性変動因子
    名称記号単位値備考
    温度T°K　


  5. 　計算の実行
    　制御因子と変動因子の入力が完了したら、下の「計算実行」ボタンを押しましょう。


  6. 　半導体の特性計算結果

    　表14-5　真性材料のキャリア濃度計算結果
    名称記号単位値計算式
    真性材料のキャリア濃度ni個/m3＊１参照
    ＊１：ni=β*POW(k*m*T,3/2)*EXP(-[Ego]/(2*k*T))
    ＊２：POW(X,k)はXのk乗を意味する。
    ＊３：EXP(X)はeのX乗を意味する。

    　表14-6　位置x(m),ポテンシャル電位Φ(V),電界E(V/m)計算結果

    　表14-7　位置x(m),正孔密度[po](個/m^3),自由電子密度[no](個/m^3)計算結果

    　表14-8　位置x(m),正味動きえる電荷(C/m^3),正味全電荷(C/m^3)計算結果

    　表14-9　位置x(m),自由電子の電位(V),正孔の電位(V)計算結果

    7. 　
  7. １５章：計算結果の検討に行く。
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